机译:CH4 / H-2和C2H6 / H-2 ZnO电感耦合等离子体刻蚀的比较
Univ Florida, Dept Mat Sci & Engn, Gainesville, FL 32611 USA;
Univ Florida, Dept Chem Engn, Gainesville, FL 32611 USA;
ZnO; etching; surface modification; THIN-FILM TRANSISTORS; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; ENERGY-DEPENDENCE; ROOM-TEMPERATURE; TRANSPARENT; IRRADIATION; FABRICATION; OXIDE;
机译:使用Cl-2 / N-2和Cl-2 / CH4 / H-2对InP进行室温感应耦合等离子体刻蚀
机译:线圈电流调节对通过AR / CH4 / H-2电感耦合热等离子体照射多晶金刚石膜沉积的影响
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:ZnO的电感耦合等离子体蚀刻
机译:用于电子材料蚀刻的高密度电子回旋共振和感应耦合等离子体源的比较:电子材料的新等离子体蚀刻方案。
机译:病毒免疫T细胞反应性的模式。 (H-2(k)x H-2(b)){箭头} H-2(b)辐射嵌合体和阴性选择的H-2(b)淋巴细胞的比较
机译:电感耦合等离子体光电子器件用ZnO薄膜的干刻蚀特性
机译:用于GaN,InN和alN的电感耦合等离子体蚀刻的基于ICl和IBr的等离子体化学的比较;材料科学工程B