机译:退火对4H-SiC衬底上作为UV增透膜的Al_2O_3 / SiO_2薄膜的光学和结构性能的影响
Physics Department, Xiamen University, No. 422, Siming Nan Road, Xiamen, Fujian 361005, PR China;
annealing; Al_2O_3/SiO_2 films; 4H-SiC; external quantum efficiency;
机译:通过电子束蒸发制备的Al_2o_3 / sio_2薄膜作为4h-sic上的uv增透膜
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机译:退火对UV应用HFO_2 / SiO_2光学涂层性能和性能的影响
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机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:退火对4H-SiC衬底上作为UV抗反射涂层的Al