机译:绝缘体上高通量C注入纳米Si的拉曼光谱和TEM表征
Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051,91501-970, Porto Alegre, RS, Brazil;
Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051,91501-970, Porto Alegre, RS, Brazil;
Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, Brazil;
Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, Brazil;
Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051,91501-970, Porto Alegre, RS, Brazil;
C implantation; SiC layer on insulator; lon beam synthesis; raman spectroscopy; TEM;
机译:高通量Ge〜+离子注入后通过锗缩合制备的绝缘体上SiGe
机译:用电子束诱导的TEM表征绝缘体衬底上制造的纳米级树枝状结构
机译:使用TEM和拉曼光谱法测定环氧树脂中CNT的拉伸性能和分散特性
机译:基于全耗尽硅 - 孤立于绝缘技术的28-14nm节点开发的高级TEM表征
机译:纳米厚电磁绝缘体的铁磁共振和自旋霍尔转矩|普通金属双层系统
机译:TEM型酶的演变:两名患者的两种新型复杂突变型TEM酶TEM-151和TEM-152的生化和遗传特性
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机译:用X射线和拉曼技术表征meV离子注入GaInas / Gaas