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机译:恒定氩气和氧气绝对流量比对直流反应磁控溅射获得的Zn / ZnO纳米结构生长的影响
Inst Electr Mat Technol, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Inst Electr Mat Technol, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Inst Electr Mat Technol, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Polish Acad Sci, Inst Phys, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Silesian Tech Univ, Inst Elect, UI Akad 16, PL-44100 Gliwice, Poland;
Inst Electr Mat Technol, Al Lotnikow 32-46, PL-02668 Warsaw, Poland;
Reactive magnetron sputtering; Zn; Nanostructures; Gas flow; Oxygen; Impurities;
机译:衬底温度和氧气/氩气流量比对射频磁控溅射制备的掺杂Ga的ZnO薄膜的电和光学性能的影响
机译:氩气流量对直流反应磁控溅射沉积TiO2光催化剂膜的影响
机译:氩/氧流量比对直流磁控溅射纳米晶钛酸锆薄膜的影响
机译:氧/氩流量比对反应磁控溅射等离子体中TiO
机译:脉冲反应直流磁控溅射技术制备的高介电常数薄膜的沉积和表征。
机译:直流反应磁控溅射制备纳米结构多孔ZnO薄膜的表面性能
机译:Zn靶在反应磁控溅射等离子体中氧气流速对等离子体参数的影响