机译:衬底温度对射频磁控溅射制备透明导电Al和F共掺杂ZnO薄膜的影响
Natl Chung Hsing Univ, Dept Elect Engn, Taichung 40227, Taiwan;
Al-F co-doped ZnO; Transparent conducting oxide (TCO); Thin film; magnetron sputtering; Substrate temperature;
机译:射频磁控溅射法在低温度下沉积透明导电ZnO:Al薄膜
机译:射频磁控溅射在PEN衬底上制备的ZnO:Ga透明导电膜
机译:底物温度对透明导电氢和钒共掺杂ZnO膜的结构,电和光学性质的影响,通过射频磁控溅射制造的
机译:磁控溅射制备具有非常薄缓冲层的透明导电掺杂杂质的ZnO薄膜的电阻率降低
机译:直流反应磁控溅射沉积的新型薄膜透明导电氧化物。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:基质温度对RF磁控溅射制备的(Ga,Ge) - ZnO薄膜性能的影响