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【24h】

Influence of Gamma Radiation on Spectral Photosensitivity of (Si_2)_(1-x)(ZnSe))x Solid Solution

机译:γ射线对(Si_2)_(1-x)(ZnSe))x固溶体光谱光敏性的影响

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摘要

Increase of the photosensitivity of the pSi-n(Si_2)_(1-x)(ZnSc)_x (0≤ x ≤ 0.01) structure exposed to gamma radiation with photon energy E_(ph) ≥ 2.3 eV has been demonstrated. It is shown that irradiation with dose up to 10~4 rad raises and radiation with dose up to 10~5 rad reduces the forward current of the pSi-n(Si_2)_(1-x)(ZnSe)_x structure.
机译:已证明暴露于光子能量E_(ph)≥2.3 eV的伽马辐射下的pSi-n(Si_2)_(1-x)(ZnSc)_x(0≤x≤0.01)结构的光敏性增加。结果表明,pSi-n(Si_2)_(1-x)(ZnSe)_x结构的正向电流升高,辐照剂量最高可达10〜4 rad,辐照剂量最高可达10〜5 rad。

著录项

  • 来源
    《Applied solar energy》 |2009年第1期|7-8|共2页
  • 作者单位

    Physicotechnical Institute, NPO Fizika-Solntse, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan;

    Physicotechnical Institute, NPO Fizika-Solntse, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan;

    Physicotechnical Institute, NPO Fizika-Solntse, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan;

    Physicotechnical Institute, NPO Fizika-Solntse, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan;

  • 收录信息 美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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