机译:Al / AlO_x /分子/ Ti / Al器件的电学表征
Semiconductor Electronics Division, National Institute of Standards and Technology (NIST), Gaithersburg, Maryland 20899-8120, USA;
molecular electronic devices; metal-insulator-metal structures; charge carriers: generation; recombination; lifetime; trapping; mean free paths;
机译:工作条件下气敏Ti(Pc)2器件的实时电学和形态学表征
机译:Pt /有机单层/ Ti器件中与分子无关的电开关
机译:电应力对Nb / Al / AlO_x / Nb结中超薄AlO_X势垒的约瑟夫森隧穿的影响
机译:Ti / Pt / ALO_X / HFO_Y / TI / PT / AG电阻开关装置的多电平电阻
机译:纳米级三硫化物(TIS3)静电和电双层晶体管的电学表征
机译:导电Al2O3-TiN复合材料的Ti反应烧结:Ti的粒径和形貌对电学和力学性能的影响
机译:单分子器件的高时间分辨率电学特性技术