机译:通过Ge4H10,Si4H10和SnD4的超低温外延生长的Ge1-x-ySixSny / Ge(100)光电探测器的吸收边缘和暗电流的成分依赖性
Department of Chemistry and Biochemistry, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1604, USA;
机译:通过Ge_4H_(10),Si_4H_(10)和SnD_4的超低温外延生长的Ge_(1-x-γ)Si_xSn_γ/ Ge(100)光电探测器的吸收边缘和暗电流的成分依赖性
机译:通过Ge4H10和SnD4的反应,在超低温下,Si / Ge上的准晶型Ge1-ySny(y = 0.06-0.17)结构和器件的分子外延
机译:通过分子束外延生长的AlGaN薄膜中的成分不均匀性:对MSM紫外光电探测器的影响
机译:SI / GE分离吸收电荷乘法雪崩光电探测器,具有低暗电流
机译:分子束外延生长的III族氮化物纳米线紫外发光二极管的均相和电流注入研究与工程
机译:高响应度低暗电流刚性和柔性基板上的异质集成薄膜Si光电探测器
机译:Ge1-x-YSixSny合金带隙的成分依赖性