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Direct evidence of n-type doping in organic light-emitting devices: N free Cs doping from CsN3

机译:有机发光器件中n型掺杂的直接证据:来自CsN3的N游离Cs掺杂

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摘要

Cesium azide (CsN3) is confirmed to be decomposed during thermal evaporation. Only Cs could be deposited on tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3) and n-type doping is easily achieved. Organic light-emitting devices with CsN3 show highly improved current density-luminance-voltage characteristics compared to the control device without CsN3. To understand the origin of the improvements, in situ x-ray and UV photoemission spectroscopy measurements were carried out and a remarkable reduction in electron injection barrier is verified with successive deposition of Al on CsN3 on Alq3. CsN3 has a potential as alternative to doping the electron transport layer by replacing the direct deposition of alkali metals.
机译:叠氮化铯(CsN3)已确认在热蒸发过程中分解。只有Cs可以沉积在三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)上,并且很容易实现n型掺杂。与没有CsN3的控制装置相比,具有CsN3的有机发光装置显示出大大改善的电流密度-亮度-电压特性。为了了解改进的起源,进行了原位X射线和UV光发射光谱测量,并通过在Alq3上的CsN3上连续沉积Al证实了电子注入势垒的显着降低。通过取代碱金属的直接沉积,CsN3具有替代掺杂电子传输层的潜力。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2012年第20期|p.1-4|共4页
  • 作者

    Lee Jeihyun;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 13:13:28

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