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机译:通过催化镍膜的团聚现象在绝缘基板上合成无转移石墨烯
Research Center for Nano Device and System, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan|c|;
机译:通过催化镍膜的团聚现象在绝缘基板上合成无转移石墨烯
机译:溅射的碳和镍膜在SiO2绝缘体衬底上石墨烯的无转移生长
机译:通过铜箔的物理接触,无转移,高质量石墨烯的大规模生长
机译:通过化学气相沉积路线简单地在介电基板上合成大面积多层石墨烯膜(通过CVD路线在介电基板上合成MLG膜)
机译:石墨烯及其衍生物:通过扩散镍在绝缘基板上的研究进展及石墨烯的生长
机译:绝缘基底上种子辅助石墨烯薄膜的合成
机译:溅射碳和镍薄膜在SiO2绝缘体衬底上石墨烯的无转移生长