机译:植入低能光离子(H - sup>)的量子点红外光电探测器的峰值探测灵敏度(D *)增强了一个以上的等级
Department of Electrical Engineering, Centre for Nanoelectronics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, India;
III-V semiconductors; dark conductivity; gallium arsenide; indium compounds; infrared detectors; ion implantation; photodetectors; semiconductor quantum dots; tunnelling; 0757Kp; 8560Gz;
机译:植入低能光离子(H〜-)的量子点红外光电探测器的峰值检测率(D〜*)增强了一个以上的数量级
机译:高能质子注入将In 0.5 sub> Ga 0.5 sub> As / GaAs量子点红外光电探测器的峰值检测度(D *)最多提高两个数量级
机译:快速热退火提高应变耦合的InAs / GaAs量子点红外光电探测器的峰值检测率和工作温度
机译:高响应度(〜2.16A / W)和探测(〜1011琼斯)在长波长(〜10.2μm)中的高响应度(〜2.16A / W),与季陀螺圈的长波长(〜10.2μm)中的长波长(〜10.2μm)
机译:新型多色量子阱红外光电探测器和高级量子点红外光电探测器的研究。
机译:量子点集光催化剂组件中质子的能量转移增强光催化还原
机译:Quantum点红外光电探测器中的~10μm范围附近的多光子峰值
机译:高性能多色量子阱红外光电探测器的研制及增强QWIp中光耦合和辐射效应的研究