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机译:使用多探头霍尔器件在欧姆金属下的AlGaN / CaN异质结构的电气表征
Center for Nano Materials and Technology Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) 1-1 Asahidai Nomi Ishikawa 923-1292 Japan Advantest Laboratories Ltd. 48-2 Matsubara Kami-Ayashi Aoba-ku Sendai Miyagi 989-3124 Japan;
Center for Nano Materials and Technology Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) 1-1 Asahidai Nomi Ishikawa 923-1292 Japan;
Center for Nano Materials and Technology Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) 1-1 Asahidai Nomi Ishikawa 923-1292 Japan;
机译:扩散欧姆接触金属原子对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中器件缩放的增强作用
机译:综合研究欧姆电学特性和未掺杂AlGaN / GaN异质结构上的Ti / Al / Mo / Au多层欧姆优化
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:搜索亚微米器件的GaN / AlGaN异质结构的合适的欧姆金属化方案
机译:β碳化硅的欧姆接触:电气和冶金特性。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:金属与alGaN / GaN异质结构之间的欧姆接触形成 石墨烯插入