机译:出版者的注释:“通过掺杂锗来抑制p型切克劳斯基硅中的硼氧缺陷”物理来吧97,051903(2010)
State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027,People’s Republic of China;
机译:出版者注:“通过掺杂锗来抑制p型切克劳斯基硅中的硼氧缺陷” [Appl。物理来吧97,051903(2010)]
机译:掺锗抑制p型直拉硅中的硼氧缺陷
机译:掺锗抑制p型直拉硅中的硼氧缺陷
机译:补偿P型Czochralski硅中的硼 - 氧缺陷
机译:使用硼和锗掺杂的硅外延膜进行电子工程的缺陷工程
机译:回应关于增强掺氮TiO2-x金红石中室温铁磁性:与当地电子特性的关系的评论。物理来吧97186101(2010)
机译:出版商的注意事项:“关于”水电驱动的可编程聚氨酯形状记忆聚合物的评论:演示和机制“APPL。物理。吧。 86,114105(2005)“应用。物理。吧。 97,056101(2010)
机译:硼掺杂无位错Czochralski硅晶体中的点缺陷聚集体