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机译:易失性或非挥发性切换?使用ON / OFF滞后行为(RT至300°C)建立金属接触继电器的设计参数
Centre for Applied Research in Electronics Indian Institute of Technology Delhi New Delhi 110016 India;
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机译:过氧化物诱导ZnO基电化学金属化存储器中的挥发性和非挥发性切换行为
机译:通过苯氧基连接的含咔唑连接的三唑基团的聚酰亚胺中的苯氧基键将电阻切换记忆行为从非易失性转变为挥发性
机译:具有各种吸电子部分的芳族聚酰亚胺的电阻转换非易失性和挥发性存储行为
机译:Universal非挥发性电阻切换行为在2D金属二甲甲基化物中,具有独特的导电点随机存取记忆效应
机译:用于非易失性记忆及超越的旋转轨道扭矩驱动磁化切换
机译:磁电混合结构中的电场辅助非易失性磁力开关
机译:非易失性存储应用中Cu掺杂的Ge 0.3 Se 0.7基固体电解质中电阻切换行为的研究
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。