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Simulation of interface dislocations effect on polarization distribution of ferroelectric thin films

机译:界面位错对铁电薄膜极化分布影响的模拟

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摘要

Effects of interfacial dislocations on the properties of ferroelectric thin films are investigated, using the dynamic Ginzburg-Landau equation. Our results confirm the existence of a dead layer near the film/substrate interface. Due to the combined effects of the dislocations and the near-surface eigenstrain relaxation, the ferroelectric properties of about one-third of the film volume suffers.
机译:使用动态的Ginzburg-Landau方程,研究了界面位错对铁电薄膜性能的影响。我们的结果证实了薄膜/基材界面附近存在死层。由于位错和近表面本征应变弛豫的综合作用,约三分之一薄膜体积的铁电性能受到影响。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第9期|p.092903.1-092903.3|共3页
  • 作者

    Yue Zheng; Biao Wang; C. H. Woo;

  • 作者单位

    Electro-Optics Technology Center, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:21:50

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