机译:高锰掺杂GaMnAs的磁光和磁输运性质
机译:居里温度为172.5 K的高锰掺杂GaMnAs的性质
机译:居里温度为172.5 k的重型Mn-Doped Gamnas的性质
机译:InP上生长的重掺杂Mn的四元合金铁磁半导体(InGaMn)的磁光特性和居里温度(约130 K)
机译:基于Gamnas三层结构的MagnetOcransport属性,具有不同厚度的InGaAs间隔层
机译:磁光表征观察到的铁磁GaMnAs中局部sp-d交换相互作用引起的塞曼分裂。
机译:用于范德堡磁传输测量的自由式GaMnAs纳米加工板
机译:重掺杂mn的磁光和磁输运特性 的Gamnas