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Magneto-optical and magnetotransport properties of heavily Mn-doped GaMnAs

机译:高锰掺杂GaMnAs的磁光和磁输运性质

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摘要

The authors have studied the magneto-optical and magnetotrasnport properties of Ga_(1-x)Mn_xAs thin films with high Mn concentrations (x = 12.2%-21.3%) grown by molecular-beam epitaxy. These heavily Mn-doped GaMnAs films were formed by decreasing the growth temperature to as low as 150-190℃ and by reducing the film thickness to 10 nm in order to prevent precipitation of hexagonal MnAs clusters. Magnetic circular dichroism and anomalous Hall effect measurements indicate that these GaMnAs films have the nature of intrinsic ferromagnetic semiconductors with high ferromagnetic transition temperature up to 170 K.
机译:作者研究了通过分子束外延生长的高Mn浓度(x = 12.2%-21.3%)的Ga_(1-x)Mn_xAs薄膜的磁光和磁传输特性。通过将生长温度降低至低至150-190℃并通过将膜厚度减小至10 nm以防止六角形MnAs团簇沉淀来形成这些重掺杂Mn的GaMnAs膜。磁性圆二色性和异常霍尔效应测量表明,这些GaMnAs薄膜具有固有的铁磁半导体特性,具有高达170 K的高铁磁转变温度。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2007年第11期|p.112503.1-112503.3|共3页
  • 作者单位

    Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:20:59

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