机译:GeTe相变存储单元中的纳秒级开关
I. Physikalisches Institut (IA), RWTH Aachen University, 52056 Aachen, Germany;
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Qimonda Dresden GmbH &. Co. OHG, Koenigsbruecker Strasse 180, 01099 Dresden, Germany;
Qimonda AG, Bibergerstr. 93, 82008 Unterhaching, Germany;
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机译:伪二进制GetE-SB2Te3相变存储器设备的阈值切换动态
机译:Gete-Sb2te3超晶格的结构转换路径和双极切换为界面相位变化存储器
机译:基于GeTe / Sb_2Te_3超晶格的界面相变存储器中单极电阻切换机制的第一原理研究
机译:基于横向GeTe和Ge1Sb4Te7的相变存储器中的纳秒级快速切换和超多层存储
机译:用于可重构RF开关和非易失性存储器的相变材料的结晶动力学和阈值电压的研究。
机译:零密度变化相变存储材料:结晶后的GeTe-O结构特征
机译:GeTe纳米线中尺寸相关的相变存储器开关行为和低写入电流