机译:a-As_2Se_3薄膜中的低场微等离子体分解
Department of Semiconductor Electronics, Moscow Power Engineering Institute, Krasnokazarmenaya 14, Moscow 111250, Russia;
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机译:具有不同表面和沟道方向的块状,超薄体SOI和双栅极n-MOSFET的低场迁移模型—第二部分:超薄硅膜
机译:通过对SiO2薄膜击穿后电阻的统计分析研究介电击穿机理
机译:将溶胶 - 凝胶技术与脉冲显微簇源沉积合并,以改善对TiO2薄膜膜响应的控制
机译:薄膜厚度和质地对锆钛酸铅薄膜高低场应力响应的影响
机译:大气压直流微等离子体的表征和稳定化及其在薄膜沉积中的应用。
机译:扫描SQUID显微镜可视化分析YBa2Cu3O7-x薄膜中包含涡旋基团的低场各向同性涡旋玻璃
机译:通过薄SiO2薄膜突破性抗撕裂性统计分析的介电击穿机制研究