首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Low-field microplasma breakdown in a-As_2Se_3 thin films
【24h】

Low-field microplasma breakdown in a-As_2Se_3 thin films

机译:a-As_2Se_3薄膜中的低场微等离子体分解

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

It is shown that increasing external field stimulates appearance of the conductive microplasma channels in a-As_2Se_3 thin films. Cooling a sample under high field causes the disabling of microplasmas and decreases the sample conductance by several orders of magnitude in a rather narrow temperature range. The diameter of a microplasma channel was estimated to be one nanometer. We conclude that some negative centers near the metal-a-As_2Se_3 interface are causing a local barrier height lowering, stimulating the injection of carriers and formation of a microplasma.
机译:结果表明,增加的外场会刺激a-As_2Se_3薄膜中导电微等离子体通道的出现。在高电场下冷却样品会导致微浆失效,并在相当窄的温度范围内将样品电导降低几个数量级。微等离子体通道的直径估计为一纳米。我们得出的结论是,金属-a-As_2Se_3界面附近的一些负中心正在引起局部势垒高度降低,从而刺激了载流子的注入和微等离子体的形成。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2011年第11期|p.112105.1-112105.3|共3页
  • 作者

    E. N. Voronkov; E. M. Eganova;

  • 作者单位

    Department of Semiconductor Electronics, Moscow Power Engineering Institute, Krasnokazarmenaya 14, Moscow 111250, Russia;

    Department of Semiconductor Electronics, Moscow Power Engineering Institute, Krasnokazarmenaya 14, Moscow 111250, Russia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:18:09

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号