机译:多晶TiN上钨化学气相沉积初期结构演化与电渗流的关系
Micron Semiconductors Israel Ltd., Qiryat-Gat 82109, Israel,Department of Physical Electronics, Electrical Engineering, Tel Aviv University, Tel Aviv 69978, Israel;
Material Science Program, Tel Aviv University, Tel Aviv 69978, Israel;
Department of Physical Electronics, Electrical Engineering, Tel Aviv University, Tel Aviv 69978, Israel;
Micron Semiconductors Israel Ltd., Qiryat-Gat 82109, Israel;
机译:使用A1N初始层在SiC衬底上通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN的结构和形态演变
机译:化学气相沉积沉积10-20 Nm厚的多晶氧化锡薄膜中的导电
机译:通过化学气相沉积法沉积的10-20 nm厚的多晶氧化锡薄膜中的导电
机译:化学气相沉积多晶钨的动态变形和断裂
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:多过多层多晶MOS2使用等离子体增强的化学气相沉积的生长以获得有效的氢气进化反应
机译:远程等离子体增强金属有机化学气相沉积法生长Al掺杂ZnO薄膜过程中电学和结构性能的演变
机译:LpCVD(低压化学气相沉积)钨界面的微观结构表征