机译:超薄平板零频率模式的吸收特性
IMM-Instituto de Microelectronica de Madrid (CNM-CSIC), Isaac Newton 8, PTM, E-28760 Tres Cantos,Madrid, Spain;
IMM-Instituto de Microelectronica de Madrid (CNM-CSIC), Isaac Newton 8, PTM, E-28760 Tres Cantos,Madrid, Spain;
IMM-Instituto de Microelectronica de Madrid (CNM-CSIC), Isaac Newton 8, PTM, E-28760 Tres Cantos,Madrid, Spain;
机译:超薄平板零频率模式的吸收特性
机译:超薄声子薄膜中的中红外epsilon-接近零模
机译:平板靶低能激光辐照的频率依赖性吸收效率和中子产生
机译:利用新型光子晶体纹理增强超薄膜硅平板的吸收
机译:太阳X射线耀斑期间中纬度D区电离层对高频无线电信号吸收的改进模型。
机译:零模量超材料实现的低频完美吸音
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