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机译:具有紧密堆叠的InAs / In_(0.48)Ga_(0.52)P量子点超晶格的高效太阳能电池的建议:通过中带分析极化吸收特性
Advanced Technology Research Laboratories, Sharp Corporation Tenri, Nara 632-8567, Japan;
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机译:GaMT纳米结构的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP的结构和电学性质
机译:结构和电气特性的HEMT-nanogeterostruktur IN_(0.52)AL_(0.48)由于/ IN_(0.53)Ga_(0.47)由于/ IN_(0.52)AL_(0.48)由于/磷化铟与不同的组合NANOVSTAVOK的InAs和GaAs量子阱
机译:InP衬底上量子阱In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As的电子迁移率和光电导性的增强
机译:作为多量子阱结构的IN_(0.53)GA_(0.47)的尖端能量和eIGEN能量的定量模型的光谱分析和in_(0.53)Ga_(0.47)的吸收
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:偏置控制的InAs / GaAs量子点超晶格中带太阳能电池中高效的两步光生载流子
机译:In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中带间跃迁的电场依赖性及其室温电透射率