机译:多晶膜生长中断期间晶粒表面形状变化与可逆应力演变的相关性
Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA;
机译:回应“关于“多晶膜生长中断期间晶粒表面形状变化与可逆应力演变的相关性”的评论” [Appl。物理来吧105,246101(2014)]
机译:多晶膜生长中断期间晶粒表面形状变化与可逆应力演变的相关性
机译:评论“多晶膜生长中断过程中晶粒表面形状变化与可逆应力演变的相关性”物理来吧104,141913(2014)]
机译:多晶膜的岛形核与晶粒生长之间的关系
机译:了解通过Volmer-Weber方法生长的多晶薄膜中的内在应力演化。
机译:多晶薄膜表面生长过程中步进流传播的相干X射线测量
机译:晶粒结构对多晶金薄膜可逆压缩沉积应力影响的直接证据