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机译:出版者注:“通过Sr / Si(001)(2×3)表面重建通过脉冲激光沉积在Si(001)上形成锶缓冲层” [Appl。物理来吧106,071602(2015)]
Advanced Materials Department, Jozef Stefan Institute, Jamova cesta 39,1000 Ljubljana, Slovenia ,Jozef Stefan International Postgraduate School, Jamova cesta 39,1000 Ljubljana, Slovenia;
Advanced Materials Department, Jozef Stefan Institute, Jamova cesta 39,1000 Ljubljana, Slovenia;
Advanced Materials Department, Jozef Stefan Institute, Jamova cesta 39,1000 Ljubljana, Slovenia;
机译:通过Sr / Si(001)(2×3)表面重建通过脉冲激光沉积在Si(001)上形成锶缓冲层
机译:使用脉冲激光沉积技术控制Si(001)上的SRE缓冲层形成
机译:使用脉冲激光沉积技术控制Si(001)上的SRE缓冲层形成
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜
机译:氧化锶-氧化铜-二氧化钛三元体系的各方面与钛酸锶和铜掺杂的钛酸锶薄膜缓冲层的沉积有关。
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机译:响应GaN / Si System“Apmap中的多AlGaN缓冲层中合金组合物和菌株的响应。物理。吧。 106,176101(2015)