机译:锑表面活性剂介导的InAs / AlAs_(0.56)Sb_(0.44)应变量子阱的生长,用于1.55μm的子带间吸收
Universite Europeenne de Bretagne, INSA, FOTON, UMR-CNRS 6082, 20 Avenue des Buttes de Coeesmes,35708 Rennes, France;
CEMES CNRS-UPR8011, Universite de Toulouse, 31055 Toulouse, France;
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CEMES CNRS-UPR8011, Universite de Toulouse, 31055 Toulouse, France;
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机译:在中频太阳能电池中使用数字AlAs_(0.56)Sb_(0.44)矩阵生长的双峰分布InAs量子点的光学性质
机译:调制掺杂In_(0.53)Ga_(0.47)As / AlAs_(0.56)Sb_(0.44)超薄量子阱中的二维电子传输
机译:通过调整带间跃迁波长来提高In_(0.8)Ga_(0.2)As / Al_(0.5)Ga_(0.5)As / AlAs_(0.56)Sb_(0.44)耦合双量子阱中的交叉相位调制效率
机译:InAs / AlAs_(0.84)Sb_(0.16)量子阱中高温载流子的证据
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:硅衬底上InAs介导的垂直InSb纳米线的生长
机译:锑表面活性剂介导的InAs / AlAs0.56Sb0.44应变量子阱的生长,在1.55μm的子带内吸收
机译:通过金属有机化学气相沉积生长Inas(1-x)sb(x)/ Inas应变层超晶格