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机译:超薄扭曲GE_(1-X)SN_XS van der WALS纳米波纹荧光的阴极致发光
Univ Nebraska Dept Elect & Comp Engn Lincoln NE 68588 USA;
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Univ Nebraska Dept Mech & Mat Engn Lincoln NE 68588 USA;
alloys; excitons; layered materials; nanophotonics; nanoribbons;
机译:在Ge(110)衬底上形成高质量的Ge_(1-x)Sn_x层,并在Ge_(1-x)Sn_x / Ge界面处以应变诱导的方式限制了层错
机译:锗-锡(Ge_(1-x)Sn_x)上的锗的高选择性干法蚀刻:Ge_(1-x)Sn_x纳米结构制造的新途径
机译:通过在超薄SiO_2膜上共沉积Ge和Sn来在Si(111)衬底上外延生长超高密度Ge_(1-x)Sn_x量子点
机译:高Si组成的应变弛豫Ge_(1-x-y)Si_xSn_y / Ge_(1-x)Sn_x / Ge_(1-xy)Si_xSn_y形成双异质结构并评估光电性能
机译:Ulthath早期过渡金属(Ti&V)(DI)硒化合物的范围(DI):超薄极限中的电荷和磁场
机译:Van Der Waals杂化结构的光电特性:石墨烯纳米带上的富勒烯。
机译:Ge_(1-x)sn_x合金中的非取代单原子缺陷