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机译:Si系统上生长的InGaN纳米棒中实现高效光电化学水氧化的新方法:MXene纳米片作为多功能界面改性剂
South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat & Devices Guangzhou 510640 Peoples R China;
South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat & Devices Guangzhou 510640 Peoples R China|South China Univ Technol Dept Elect Mat Sch Mat Sci & Engn Guangzhou 510640 Peoples R China;
Wuhan Univ Inst Technol Sci Wuhan 430072 Peoples R China|Wuhan Univ Sch Power & Mech Engn Wuhan 430072 Peoples R China;
charge transfer; InGaN; interfacial resistance; MXene; water splitting;
机译:分子束外延生长的IngaN纳米棒的形态学,组成和光电化学水分裂性能的相关性
机译:用于光电化学水分解的高效纳米棒-纳米片阵列夹层光电极
机译:嵌入具有二维{001}突出的α-Fe2O3纳米棒暴露于衍生自Ti3C2TX MXENE的TiO 2薄片,用于增强光电化学水氧化
机译:InGaN / GaN纳米棒的光电化学氧化量子限制效应
机译:直接等离子体和铁的热氧化法制得的用于光电化学水分解的α-三氧化二铁电极的比较。
机译:水分解:通过TiCl4处理的3D掺锑SnO2大孔/支化α-Fe2O3纳米棒异质结光电阳极实现高效的光电化学水氧化(Adv。Sci。7/2015)
机译:在α-Fe2O3赤铁矿纳米杆上进行超薄CO-MOF纳米液的原位生长,用于高效光电化学水氧化