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The band structure and electron density of InSb_1-xBi_x solid solutions

机译:InSb_1-xBi_x固溶体的能带结构和电子密度

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摘要

A band structure of semiconductor InSb_1-xBi_x substitution solid so- lution is calculated by the empirical pseudopotential method. Spin-orbital interactions are also included in local calculations. Using the virtual-crystal approximation the composition and temperature dependences of energy gap are studied. The results are in good agreement with available experimental data.
机译:通过经验pseudo势法计算出半导体InSb_1-xBi_x替代固溶体的能带结构。自旋轨道相互作用也包括在局部计算中。使用虚拟晶体近似,研究了能隙的组成和温度依赖性。结果与可用的实验数据高度吻合。

著录项

  • 来源
    《Acta Physica Polonica. A》 |1998年第3期|p.611-616|共6页
  • 作者

    J.I.Vyklyuk; V.G.Deibuk;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:30:37

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