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Engineering of a Genetically Encodable Fluorescent Voltage Sensor Exploiting Fast Ci-VSP Voltage-Sensing Movements

机译:利用可快速Ci-VSP电压感应运动的可遗传编码的荧光电压传感器的工程设计

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摘要

Ci-VSP contains a voltage-sensing domain (VSD) homologous to that of voltage-gated potassium channels. Using charge displacement (‘gating’ current) measurements we show that voltage-sensing movements of this VSD can occur within 1 ms in mammalian membranes. Our analysis lead to development of a genetically encodable fluorescent protein voltage sensor (VSFP) in which the fast, voltage-dependent conformational changes of the Ci-VSP voltage sensor are transduced to similarly fast fluorescence read-outs.
机译:Ci-VSP包含一个与电压门控钾离子通道同源的电压感应域(VSD)。使用电荷位移(“门控”电流)测量,我们表明,该VSD的电压感应运动可以在1ms的哺乳动物膜内发生。我们的分析导致了可遗传编码的荧光蛋白电压传感器(VSFP)的开发,在该传感器中,Ci-VSP电压传感器的快速,电压依赖性构象变化被转导为类似的快速荧光读数。

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