机译:Gating交互图在振动器K +通道中显示了一种非洲机电耦合模式
机译:S4-S5链接器和S6之间的IntersubUnuit相互作用负责振动器K +通道中的慢型偏移分量
机译:振动器K +通道中电压传感器的模式偏移是由与孔域的能量耦合引起的
机译:正常模式分析显示了配体门控离子通道模型内的通道门控运动
机译:电压依赖性K +和Ca2 +通道在冠状机电耦合中的作用:代谢综合征的影响。
机译:摇床K +通道的门控:II。门控电流的组成部分和通道激活模型。
机译:研究电压门控K +通道中的机电耦合