机译:通过缩小几层GaSe光电探测器中的电极间距来大大增强光响应性
机译:通过缩小几层GaSe光电探测器中的电极间距来大大增强光响应性
机译:优化Ag纳米粒子层的间距,增强ZnO / Ag / ZnO / Ag / ZnO多层结构UV光电探测器的性能
机译:完全与CMOS BEOL兼容的HfO
机译:纳米粒子在伏安信号增强中的作用,表现为逐层(LbL)金纳米粒子修饰的丝网印刷碳电极(SPCE)。
机译:具有逐步梯度AlxGa1-xN缓冲层的GaN MSM UV光电探测器的选择性增强的UV-A光响应性
机译:通过收缩电极强烈增强光响应性 几层Gase光电探测器的间距