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Electronic properties of several two dimensional halides from ab initio calculations

机译:从头算计算中几个二维卤化物的电子性质

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摘要

Using density functional theory, we study the electronic properties of several halide monolayers. We show that their electronic bandgaps, as obtained with the HSE hybrid functional, range between 3.0 and 7.5 eV and that their phonon spectra are dynamically stable. Additionally, we show that under an external electric field some of these systems exhibit a semiconductor-to-metal transition.
机译:使用密度泛函理论,我们研究了几种卤化物单层的电子性质。我们显示,通过HSE混合功能获得的电子带隙在3.0到7.5 eV之间,并且它们的声子谱是动态稳定的。此外,我们表明,在外部电场作用下,这些系统中的一些会表现出半导体到金属的过渡。

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