graphene silicon carbide insulator buffer layer hot-mesh CVD;
机译:石墨烯作为绝缘体上碳化硅结构的缓冲层
机译:缓冲层结构对用于隔离亚微米硅器件的多晶硅缓冲液LOCOS的影响
机译:多层石墨烯的机械性能和层间相互作用的密度泛函理论研究:碳化碳,碳化硅和硅石墨烯结构
机译:通过新的缓冲层配置将AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构缩放到200mm硅(111)基板上
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:石墨烯作为绝缘体上碳化硅结构的缓冲层