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【2h】

Macroporous Semiconductors

机译:大孔半导体

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摘要

Pores in single crystalline semiconductors come in many forms (e.g., pore sizes from 2 nm to > 10 µm; morphologies from perfect pore crystal to fractal) and exhibit many unique properties directly or as nanocompounds if the pores are filled. The various kinds of pores obtained in semiconductors like Ge, Si, III-V, and II-VI compound semiconductors are systematically reviewed, emphasizing macropores. Essentials of pore formation mechanisms will be discussed, focusing on differences and some open questions but in particular on common properties. Possible applications of porous semiconductors, including for example high explosives, high efficiency electrodes for Li ion batteries, drug delivery systems, solar cells, thermoelectric elements and many novel electronic, optical or sensor devices, will be introduced and discussed.
机译:单晶半导体中的孔有多种形式(例如,孔径从2 nm到> 10 µm;形态从完美的孔晶体到分形),并且直接显示出许多独特的特性,或者如果填充了孔则显示为纳米化合物。系统地回顾了在诸如Ge,Si,III-V和II-VI化合物半导体等半导体中获得的各种孔,重点是大孔。将讨论孔形成机理的要点,重点是差异和一些悬而未决的问题,尤其是共同特性。将介绍和讨论多孔半导体的可能应用,包括例如高炸药,用于锂离子电池的高效电极,药物输送系统,太阳能电池,热电元件以及许多新颖的电子,光学或传感器设备。

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