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Preferential Geminal Bis-silylation of 34-BenzothiophaneIs Caused by the Dominance of Electron Withdrawal by R3Si over Steric Shielding Effects

机译:34-Benzothiophane的优先双组双甲硅烷基化是由R3Si的电子撤离在立体屏蔽效应上的优势所致

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摘要

Benzylic C–H lithiation of 3,4-benzothiophane and subsequent treatment with triphenyl- or trimethylchlorosilane under a variety of conditions leads to α,α- rather than α,α′-bis-silylation products as a consequence of anion stabilization by R3Si and very fast deprotonation of the intermediate monosilylated product, even with a sterically bulky base such as lithium diisopropylamide.
机译:3,4-苯并噻吩的苄基C–H锂化反应以及随后在各种条件下用三苯基-或三甲基氯硅烷进行处理,这是R3Si和R3Si稳定阴离子的结果,导致生成α,α-而不是α,α'-双甲硅烷基化产物。即使使用体积庞大的碱(例如二异丙基氨基锂),也可以非常快速地对中间体单甲硅烷基化产物进行去质子处理。

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