外源硅对盐胁迫下玉米萌发及幼苗生长量的影响

摘要

为明确外源硅对盐胁迫下玉米种子萌发幼苗生长量的影响。设置轻度（50 mmol/L）、中度（100 mmol/L）和重度（150 mmol/L）3个盐胁迫梯度，以K2SiO3·9H2O为硅源，设置0 mmol/L、1 mmol/L、2 mmol/L、4 mmol/L、6 mmol/L、8 mmol/L共6个浓度梯度，进行室内水培实验。研究结果表明，在中、轻度盐胁迫下，低浓度（低于4 mmol/L）的外源硅对玉米种子发芽率、发芽势有一定的促进作用，重度盐胁迫下，不同浓度的外源硅对玉米种子发芽率、发芽势均表现为促进作用；适当浓度外源硅对玉米幼苗的根冠比有显著促进，从而说明外源硅能够很好的缓解盐胁迫对植物根部的伤害。