直流反应磁控溅射制备锐钛矿型TiO2薄膜

摘要

采用直流反应磁控溅射的方法,在衬底温度为350℃的条件下溅射高纯钛靶,并在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.采用正交设计法探讨了溅射气压、溅射电流、氧氩比和溅射时间等实验条件对TiO2薄膜结构的影响.经过X射线衍射和拉曼光谱分析,制备结晶良好的锐钛矿结构TiO2薄膜的最佳实验条件为:溅射气压0.3 Pa;溅射电流0.7 A;氧氩比1 : 3;溅射时间40rmin退火温度650℃.