直流磁控溅射制备太阳光谱选择性吸收Cr1-xAlxN薄膜

摘要

以直流反应磁控溅射方法为制备手段，选择Cr、Al 为靶材，以氩气为工作气体，以氮气为反应气体，在纳钙玻璃基底上制备了太阳光谱选择性吸收的薄膜Cr1-xAlxN，使之具有良好的光谱选择吸收特性。研究发现，在其他工艺参数不变的情况下，溅射气压在0.3-0.5Pa 范围内，都能制备出择优取向的立方相Cr1-xAlxN。而在LN2：LAr=2:1，溅射气压为0.5Pa，工作温度为500℃，Cr 靶溅射功率：Al 靶溅射功率=3:2 时，制备的Cr1-xAlxN 薄膜致密、均匀，结晶性好，电阻率最低为。制备的Cr1