Ar/CO气氛下无催化剂热蒸发法制备SiC/SiO2纳米链及其生长机理

摘要

在Ar/CO气氛中采用无催化剂热蒸发法在炭纤维基体表面制备SiC/SiO2纳米链.XRD、FT-IR、SEM和TEM结果表明:所制备的SiC/SiO2纳米链由单晶结构SiC纳米线和无定形结构SiO2球组成.CO的引入能促进形成SiO2,从而在冷却过程中形成SiC/SiO2纳米链.此外,光致发光光谱分析结果表明,SiC/SiO2纳米链在约350 nm处显示出一个较宽的发射峰,主要是由于SiO2球中的氧偏差以及SiC/SiO2的界面效应.本研究能为一维碳化硅基材料气相生长的研究提供指导.