MOVPE growth of InAs quantum dots for mid-IR applications

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• 来源
  《中国有色金属学报：英文版》 |2006年第s1期|25-28|共4页
• 作者

  DENY S;

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• 作者单位

  Photonics Research Center School of Electrical and Electronic Engineering Nanyang Technological University;

  639798;

  Singapore;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体量子理论;
• 关键词
  机译：砷化铟;量子点;MOVPE;晶体生长;中红外;应用;