前沿技术

摘要

IGBT不香了!意法半导体推出第三代碳化硅功率器件碳化硅(SiC)功率器件的耐高压、耐高温、低损耗、体积小等性能优势可满足新能源行业的发展需求,直击电动车的“里程焦虑”与“充电焦虑”两大痛点,也被誉为替代IGBT的最佳人选。日前,意法半导体中国宣布,正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶体管,推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。