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如何提高NTD硅单晶少子寿命

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本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明:晶体表面的P2O5保护层在晶体表面的吸除作用能引起晶体内缺陷和杂质的消失,使晶体的少子寿命τ及τ的合格率大幅度升高.

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来源
《四川有色金属》 |2001年第3期|38-41|共4页
作者
谢江帆;
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作者单位

峨眉半导体材料研究所,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类有色金属冶炼 ;
关键词
P2O5 ; 退火工艺 ; 少子寿命(τ); 缺陷;

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