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【24h】

Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology

机译:采用标准CMOS技术制造的硅LED的电场约束效应研究

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摘要

^10F;半导体光子学与技术:英文版
机译:^10F;半导体光子学与技术:英文版

著录项

  • 来源
    《半导体光子学与技术:英文版》 |2010年第2期|P.84-8792|共5页
  • 作者

    YANG Guanghua; WANG Wei;

  • 作者单位

    ^pand;

    Information;

    School,;

    Tianjin;

    University,Tianjin;

    300072,;

    CHN;

    ^pand;

    Communication;

    Inst.;

    ,;

    Tianjin;

    Polytechnic;

    University,;

    Tianjin;

    300160,;

    CHN;

    ^pof;

    Semiconductors;

    of;

    Chinese;

    Academy;

    of;

    Sciences,;

    Beijing;

    100083,;

    CHN;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 CHI
  • 中图分类 集成光学器件;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-19 04:19:50
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