Mitsubishi的无线应用功率GaAs FET

摘要

正 功率GaAs FET系列MGF0951/2P从手机频段到U—NII(5.75～5.825 GHz)频段有优异的线性性能,面积为4.5mm×3.4mm,也可提供低成本的塑料模块引线框封装,改善热特性,增强RF性能和可靠性。MGF0951P在2.15 GHz的输出功率为31 dBm,增益为13 dB,热阻为20℃/W。而MGF0952P在2.15 GHz的输出功率为36.5 dBm,增益