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Investigation　of　EL2　Defect　in　10　MeV　Electron　Irradiated　Undoped　Semi－insulating　LEC　GaAs

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来源
《稀有金属：英文版》 |1995年第4期|249-252|共4页
作者
吴凤美; 施毅; 陈武鸣; 吴红卫; 赖启基; 赵周英;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体 ;
关键词
Undoped; SI-GaAs; EL2; OTCS; technique; 10; MeV; electron; irra-diation;

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1. Correlation between the Concentrations of 　Ionized EL2 and Carbon Acceptor in Undoped Semi－insulating LEC GaAs [J] . 杨瑞霞 ,李光平 . 稀有金属：英文版 . 1994 ,第2期
2. Raman　Study　of　Defects　in　SI－GaAs　and　Se－doped　Epitaxial　Layer　Irradiated　by　10　MeV　Electrons [J] . 吴凤美 ,立海峰 ,陈武鸣 . 稀有金属：英文版 . 1996 ,第1期
3. Spatial Distribution of EL2 Defect in Semi-insulating GaAs [J] . 汝琼娜 ,李光平 ,何秀坤 . 稀有金属：英文版 . 1994 ,第4期
4. 热处理改善未掺杂ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２分布均匀性的机理研究 [C] . 李光平 . 中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 . 1993

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