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真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验

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摘要

将一维纳米结构的气-液-固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验. 利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线. 纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.

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来源
《物理实验》 |2010年第8期|1-4,8|共5页
作者
简基康; 吴荣; 尚飞; 邹华;
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作者单位

新疆大学,物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

新疆大学,物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

新疆大学,物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

新疆大学,物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;

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正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
真空热蒸发镀膜; 纳米线; 气-液-固机制;

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