ZnO/ZnSeⅡ 型同轴纳米线光学性质的模拟研究

摘要

利用有限时域差分方法研究了纳米线直径、阵列周期和AZO衬底对ZnO/ZnSe同轴纳米线阵列光学性质的影响,并通过二维光学模式分析阐明了光吸收的物理机制.模拟结果表明:衬底对吸收增强的程度有限且较弱;适中的填充因子将更有利于ZnO/ZnSe纳米线阵列的光吸收;较大直径的纳米线阵列可以支持更多模式的光传播,吸收率可显著增强.而决定此异质结阵列在带隙以上吸收率的物理机制为短波长波段的周期性阵列的衍射效应及长波长波段与传导模相关的单根纳米线尺寸效应.