应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸

摘要

应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV)。据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA。测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10^(-7)～1.33×10^(-2),2.60×10^(-6)～1.20×10^(-3)mol·L^(-1),方法的检出限依次为1.50×10^(-7),6.70×10^(-7)mol·L^(-1)。应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间。