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司东海; 李建军; 付莹莹; 邓军; 韩军;
北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
北京100124;
半导体激光器; 隧道结; 非耦合;
机译:InGaAs / InAlAs量子级联结构中双阱有源层的双波长子带间电致发光
机译:带间级联激光器有源区的M形量子阱
机译:电调谐II型InAs / GaInSb量子阱中振荡器的强度,用于被动锁模带间级联激光器的有源区
机译:直接观察带间级联激光器有源区中的非均匀电场
机译:II型带间级联半导体激光器中载流子传输的研究。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:MIR中发出的间带级联激光器有源区的优化
机译:隧道耦合双量子线中一维子带的磁电阻;物理评论B.
机译:具有有源区的LED的横向混合区域比有源区的非混合区域具有更大的电子带间距; LED发出的至少一些辐射沿横向耦合出
机译:具有层间互连的集成电路,该层间互连耦合到具有源/漏区边界重叠的源/漏区和减小的寄生电容
机译:带间隧道间带间过渡半导体激光器
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