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强流RFQ加速器注入器的研究进展

         

摘要

用于中子照相的2MeVRFQ加速器须注入50 mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2 π-mm-mrad.а=1.93,β=5.16cm/rad.为此,我们建立了两台基于2,415 GHz的永磁微波离子源实验台.当微波功率小于450 w时,引出氢离子流的总流强大于80 mA,质子比好于90%,束流的归一化均方根发射度约为0.2-0.3π-mm-mrad.LEBT(低能束流输运线)实验台使用-个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%.为优化源体设计,对源室尺度和放电室内衬材料研究,为源体的优化提供了依据.

著录项

  • 来源
    《核技术》 |2009年第3期|165-168|共4页
  • 作者单位

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

    北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,北京,100871;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 注入装置;
  • 关键词

    注入器; 发射度; 流强; 传输效率; 微波离子源; LEBT;

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