B4C/Al对慢中子衰减性能研究

摘要

本文用Burrus模型和蒙特卡罗方法,模拟中子透过B4C/Al板的衰减规律.在Burrus模型中,选用0.025 3 eV中子为中子源,B4C/Al板厚度为0.15 cm,0.20 cm,0.25 cm,0.30 cm,0.35 cm,其中B4C的质量百分含量为20％,30％,40％.结果表明,在B4C/Al复合材料中,B4C含量越高,颗粒越小,材料的中子吸收效果越好,中子透射率越小.入射到B4C/Al板的中子,在B4C/Al板的穿透率与入射角方向有关,垂直与B4C/Al相互作用时,中子透射出的概率最大,随着入射角弧度增大,中子在BC/Al板的透射率逐渐变小.蒙特卡罗方法使用MCNP程序对B4C/Al与中子的相互作用进行模拟,结果表明,B4C/Al板对能量为0.025 3 eV的中子比1.0 eV的中子有更大的吸收效果.